rram 論文

rram 論文

旺宏電子 - 維基百科

https://zh.wikipedia.org/wiki/旺宏

10月:旺宏RRAM技術論文獲選為SSDM國際會議14 篇精選論文之一 3月:110 奈米 Serial Flash 系列產品開始量產 旺宏電子集團 由於不斷的擴編成長,業務面不斷的擴展 …

National Tsing Hua University Institutional Repository:錳摻雜之 …

http://nthur.lib.nthu.edu.tw/handle/987654321/77107

National Tsing Hua University Institutional Repository > 電機資訊學院 > 電子工程研究所 > 博碩士論文 > 錳摻雜之二氧化矽薄膜以及氮氧化鈦薄膜應用於非揮發性電阻式記憶體 …

M.F. Chang's Homepage - 清華大學電機系-NTHUEE

http://www.ee.nthu.edu.tw/~mfchang/News.html

投稿論文"Area-Efficient Embedded RRAM Macros with Sub-5ns Random-Read-Access-Time Using Logic-Process Parasitic-BJT-Switch (0T1R) Cell and Read-Disturb-Free …

成功大學電子學位論文服務

http://etds.lib.ncku.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0026-2401201120271700

論文名稱(中文) 含金奈米顆粒之高分子薄膜於非揮發性電阻式記憶體之特性研究 論文名稱(英文 ... resistance random access memory (RRAM) Au nanoparticles (Au NPs) …

博碩士論文 etd-1003112-123126 詳細資訊

http://pc01.lib.ntust.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-1003112-123126

論文 著作權 作者與指導教授共同擁有 系所名稱(中) 材料科學與工程系 系所名稱(英 ... 特性研究 論文名稱(英) Preparation and Characterization of HoScOx Thin Films for Resistance Random Access Memory (RRAM

五-論文著述: - 清華大學電機系-NTHUEE

http://www.ee.nthu.edu.tw/chinese/publish.php?ID=mfchang

五、論文 著述: 一 請詳列個人最近五年內發表之學術性著作,包括:期刊論文、專書及專書論文、研討會 ... S.-S. Sheu*, M.-F. Chang, et al., 「Fast Access Speed RRAM

財團法人徐有庠先生紀念基金會 - 活動內容

http://yzhsu.feg.com.tw/tw/awards/winner.aspx?cid=1&id=4&n=49

論文是台灣首次成功用材料分析手法直接觀察到RRAM switching 的結構動態變化的難得論文,對RRAM 元件的操作機制與物理模型提供了良好的材料分析方法與驗證機制, …

東芝發表可取代SRAM的更省電新型STT-MRAM技術 - iThome

http://www.ithome.com.tw/node/77757

2012/12/10 · 本技術預於12/11、12/12兩天在美國舊金山舉行的國際電子元件會議(IEDM)發表3篇相關技術論文。(編譯/ 張嵐霆) Advertisement 更多 iThome相關 …

韓國學者嗆聲 憶阻器理論之戰再起

http://www.eettaiwan.com/ART_8800661350_628626_NT_adf44940.HTM

2012/2/16 · 而目前市面上或是開發中的非揮發性記憶體元件包括RRAM (ReRAM)、相變化記憶體(PCM)/相變化RAM (PCRAM ... arXiv.org 這個論文發表系統是在網際網路通訊興起初期誕生,宗旨是將學術論文的預印版本組織起來,並透過電子郵件發表;因此該論文 ...

National Tsing Hua University Institutional Repository:完全邏輯 …

http://nthur.lib.nthu.edu.tw/handle/987654321/77098

National Tsing Hua University Institutional Repository > 電機資訊學院 > 電子工程研究所 > 博碩士論文 > 完全邏輯製程相容之單接觸點電阻式記憶體及其垂直雙極性驅動電晶體 …

國立成功大學機構典藏:Item 987654321154043 NCKU …

http://ir.lib.ncku.edu.tw/handle/987654321/154043

提供國立成功大學的博碩士論文、期刊論文、會議論文、國科會研究報告、專利等下載 ... 題名: Influence of Oxygen Concentration on Self-Compliance RRAM in Indium Oxide …

SNDT 2015 » 大會主題 - 2015年 奈米元件技術研討會

http://sndt.ndl.narl.org.tw/topics.php?lang=zhtw

對未來奈米電子元件製程技術與應用技術有更深入的探討,並透過學生論文競賽,提升國內學術合作。 ... 以下領域之論文:(1)Advanced memories (SONOS memories, RRAM

中大機構典藏-提供博碩士論文-考古題-期刊論文-研究計畫 …

http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/53746

提供台灣中央大學的博碩士論文 、考古題、期刊論文、研究計畫等下載 English | 正體中文 | 簡體中文 | 全文筆 ... RRAM has many advantages such as non-volatile property, high speed operation, low power consumption, low cost, and high data density. RRAM

加入 RRAM 開發戰線,Sony 與 Micron 共同發表新成果 - VR …

http://chinese.vr-zone.com/138251/sony-micron-joint-development-shows-16gb-rram-sample-and-test-result-12232014/

2014/12/23 · 在 RRAM 的合作關係中,Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技術,Micron 則是目前記憶體製造業的大廠。 ... Sony 與 Micron 同時發表了實際測試的結果與 ISSCC 當時發表論文

鈀電極及內插鎳層的電阻式記憶體之雙極轉換特性研究--國立清華大學博碩士論文 …

http://140.113.39.130/cgi-bin/gs/hugsweb.cgi?o=dnthucdr&i=sGH02100011566.id

傷害元件結構,其他如耐久力和操作速度慢都是FLASH的缺點。電阻式記憶體(RRAM) ... 論文名稱: 鈀電極及內插鎳層的電阻式記憶體之雙極轉換特性研究 論文名稱(外文 ...

國立成功大學機構典藏:Item 98765432186593 NCKU …

http://ir.lib.ncku.edu.tw/handle/987654321/86593

提供國立成功大學的博碩士論文、期刊論文、會議論文、國科會研究報告、專利等下載 ... 題名: Ga-Doped ZnO Transparent Conductive Oxide Films Applied to GaN-Based …

利用原子力顯微術製作奈米氧化鎵 電阻式記憶體

http://ethesys.lib.ttu.edu.tw/ETD-db/ETD-search/getfile?URN=etd-0203112-151718&filename=etd-0203112-151718.pdf

Random Access Memory (RRAM) Using Atomic Force Microscopy Local Anodic Oxidation 研究生:徐家翔(Chia-Hsiang Hsu) 指導教授:蔡宗惠(Dr. Jeff Tsung-Hui Tsai) 大同大學 光電工程研究所 碩士論文

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10月:旺宏RRAM技術論文獲選為SSDM國際會議14 篇精選論文之一 3月:110 奈米 Serial Flash 系列產品開始量產 旺宏電子集團 [編輯] 由於不斷的擴編成長,業務面不斷 …